本发明选取半导体二氧化锡作为包覆层,二氧化锡在掺杂了锑离子后产生的晶体缺陷能够大幅度提高导电性,并且二氧化锡化学稳定性好,可经受化学刻蚀。故而，本发明的氧化锡锑原位包覆氟磷酸钴锂材料具有良好的表面导电性和抗侵蚀能力,使正极材料免于高电压下受电解液侵蚀，使得材料既有很好的循环性能和高可逆容量，又有很好的倍率特性,呈现优异的综合电化学性能。

本发明公开了一种氟磷酸钴锂表面沉积原位包覆氧化锡锑（CY-G06）的高电压电极材料和制备方法及其在锂二次电池中的应用。其特征在于所制备的方法包括以下步骤:称取一定量的氟磷酸钴锂前驱体于烧杯中,加入分散剂,按一定质量比加入锑源、锡源,溶解于分散剂中,过量滴加沉淀剂,沉淀、离心、洗涤,前驱体经煅烧原位反应后，得到氧化锡锑原位包覆的氟磷酸钴锂正极材料。该方法制备出来的氧化锡锑原位包覆的氟磷酸钴锂正极材料结晶性良好,分散性好,包覆均匀，具有较高的放电平台和较高的能量密度，表现出优良的电化学性能,特别是经过多次充放电循坏后，依旧保持了较高的放电比容量和能量密度，这将有助于对高电压高能量密度正极材料的进一步研究和应用。